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M12L64164A-6TG2Y Flash-Speicher IC-Chip

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M12L64164A-6TG2Y Flash-Speicher IC-Chip

M12L64164A-6TG2Y Flash Memory IC Chip
M12L64164A-6TG2Y Flash Memory IC Chip M12L64164A-6TG2Y Flash Memory IC Chip M12L64164A-6TG2Y Flash Memory IC Chip M12L64164A-6TG2Y Flash Memory IC Chip M12L64164A-6TG2Y Flash Memory IC Chip M12L64164A-6TG2Y Flash Memory IC Chip

Großes Bild :  M12L64164A-6TG2Y Flash-Speicher IC-Chip

Produktdetails:

Herkunftsort: Taiwan
Markenname: ESMT
Zertifizierung: CE RoHS
Modellnummer: ESMT-Speicher-IC

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge: 100pcs
Verpackung Informationen: ursprüngliches Verpacken
Zahlungsbedingungen: T/T, Western Union, MoneyGram
Ausführliche Produkt-Beschreibung
Produktname: Integrierte Schaltung Marke: ESMT-Elektronik
Verpacken: Ursprüngliches Paket MOQ: 100pcs
Markieren:

M12L64164A-6TG2Y

,

EN29LV160C

,

EN39SL160AH/L

ESMT-Elektronik-Gedächtnis IC

Elite Semiconductor Memory Technology Inc. (‚ESMT "), eine Taiwan-ansässige Gedächtnis IC-Entwurfsfirma, wurde von Dr. Chao im Juni 1998 gegründet. Wir haben uns zuerst als Anbieter des verschiedenen Gedächtnisses IC definiert. Im Gegensatz zu Arbeitsspeicher das d.h. D-RAM, das für PC, Server und Arbeitsplätze verwendet wird, konzentrieren sich unsere D-RAM-Produkte auf Spezialität D-RAM-Gedächtnisse, die in den Sektoren wie PC-Peripherie-, IA-Produkten, Konsumgütern, optischen Geräten und Datenendeinrichtungen verwendet werden.

 

Wir ETSE bieten alle Arten ESMT-Elektronik IC-Chipkomponenten, ARM Mikroreglerchips, Digital-Bus-Schalter IC, analoge Chips des Schalter-IC, Mehrfachkoppler-Schalter IC, Gegenic, USB-Schalter IC, drahtlose Aufladungsic und so weiter an.

 

TESMT-Elektronik IC
Modell nein. Beschreibung Modell nein. Beschreibung
M12L16161A-5TG2Q synchrone hohe Daten 2Banks 512K x 16Bit x
Rate dynamisches RAM, 50 TSOPII, SDRAM 3.3V
M12L32321A-5BG2G synchrone hohe Datenrate 2Banks 512K x 32Bit x dynamisches RAM, SDRAM 3.3V
M12L16161A-7TG2Q synchrone hohe Daten 2Banks 512K x 16Bit x
Rate dynamisches RAM, 50 TSOPII, SDRAM 3.3V
M12L32321A-6BG2G synchrone hohe Datenrate 2Banks 512K x 32Bit x dynamisches RAM, SDRAM 3.3V
M12L64164A-5TG2Y 1M x 16 bissen x Datenrate 4 der Banken die synchrone hohe dynamisches RAM, SDRAM 3.3V M12L32321A-7BG2G synchrone hohe Datenrate 2Banks 512K x 32Bit x dynamisches RAM, SDRAM 3.3V
M12L64164A-6TG2Y 1M x 16 bissen x Datenrate 4 der Banken die synchrone hohe dynamisches RAM, SDRAM 3.3V M12L128168A-5TG2N 2M x 16 bissen x Datenrate 4 der Banken die synchrone hohe dynamisches RAM, SDRAM 3.3V
M12L64164A-7TG2Y 1M x 16 bissen x Datenrate 4 der Banken die synchrone hohe dynamisches RAM, SDRAM 3.3V M12L128168A-6TG2N 2M x 16 bissen x Datenrate 4 der Banken die synchrone hohe dynamisches RAM, SDRAM 3.3V
M12L64164A-5BG2Y 1M x 16 bissen x Datenrate 4 der Banken die synchrone hohe dynamisches RAM, SDRAM 3.3V M12L128168A-7TG2N 2M x 16 bissen x Datenrate 4 der Banken die synchrone hohe dynamisches RAM, SDRAM 3.3V
M12L64164A-6BG2Y 1M x 16 bissen x Datenrate 4 der Banken die synchrone hohe dynamisches RAM, SDRAM 3.3V M12L2561616A-5TG2S 4M x 16 bissen x Datenrate 4 der Banken die synchrone hohe dynamisches RAM, SDRAM 3.3V
M12L64164A-7BG2Y 1M x 16 bissen x Datenrate 4 der Banken die synchrone hohe dynamisches RAM, SDRAM 3.3V M12L2561616A-6TG2S 4M x 16 bissen x Datenrate 4 der Banken die synchrone hohe dynamisches RAM, SDRAM 3.3V
M12L5121632A-5TG2S 8M x 16 bissen x Datenrate 4 der Banken die synchrone hohe dynamisches RAM, SDRAM 3.3V M12L2561616A-7TG2S 4M x 16 bissen x Datenrate 4 der Banken die synchrone hohe dynamisches RAM, SDRAM 3.3V
M12L5121632A-6TG2S 4M x 16 bissen x Datenrate 4 der Banken die synchrone hohe dynamisches RAM, SDRAM 3.3V M12L5121632A-7TG2S 4M x 16 bissen x Datenrate 4 der Banken die synchrone hohe dynamisches RAM, SDRAM 3.3V
EN39LV010 1 Megabit (128K x 8-Bit) 4 Kbyte-einheitlicher Sektor,
Nur für Volt Flash-Speicher CMOS 3,0
EN29LV040A Einheitlicher Sektor 4 Megabit-(512K x 8-Bit),
Nur für Volt Flash-Speicher CMOS 3,0
EN29LV400A Flash-Speicher 4 Megabit-(512K x 8-Bit--/256K x 16-Bit)
Startsektor-Flash-Speicher, CMOS 3,0 nur für Volt
EN29LV800C Flash-Speicher 8 Megabit-(1024K x 8-Bit--/512K x 16-Bit), Startsektor-Flash-Speicher, CMOS 3V
EN39SL800 Flash-Speicher 8 Megabit-(512K x 16-Bit) mit 4Kbytes einheitlichem Sektor, CMOS 1,8 nur für Volt EN29LV160C Flash-Speicher 16 Megabit-(2048K x 8-Bit--/1024K x16-bit), Startsektor-Flash-Speicher, CMOS 3.0V
EN39SL160AH/L Flash-Speicher 16 Megabit-(1024K x 16-Bit) mit 4Kbytes einheitlichem Sektor, CMOS 1,8 nur für Volt EN29LV320C Flash-Speicher 32 Megabit-(4096K x 8-Bit--/2048K x16-bit), Startsektor-Flash-Speicher, CMOS 3.0V
EN29LV160D (2W) Flash-Speicher 16 Megabit-(2048K x 8-Bit--/1024K x 16-Bit)
Startsektor-Flash-Speicher, CMOS 3,0 nur für Volt
EN29LV640A Flash-Speicher 64 Megabit-(8M x 8-Bit/4M x 16-Bit), Startsektor-Flash-Speicher, CMOS 3.0V
M12L16161A-5TVG2Q synchrone hohe Datenrate 2Banks 512K x 16Bit x dynamisches RAM, 50 TSOPII, Automobilgrad M12L64164A (2C) 1M x 16 bissen x Datenrate 4 der Banken die synchrone hohe dynamisches RAM, Automobilgrad
M12L16161A-7TVG2Q synchrone hohe Datenrate 2Banks 512K x 16Bit x dynamisches RAM, 50 TSOPII, Automobilgrad M12L128168A-5TVG2N 2M x 16 bissen x Datenrate 4 der Banken die synchrone hohe dynamisches RAM, Automobilgrad
M12L128168A-5TVAG2N 2M x 16 bissen x Datenrate 4 der Banken die synchrone hohe dynamisches RAM, Automobilgrad M12L128168A-6TVG2N 2M x 16 bissen x Datenrate 4 der Banken die synchrone hohe dynamisches RAM, Automobilgrad
M12L128168A-6TVAG2N 2M x 16 bissen x Datenrate 4 der Banken die synchrone hohe dynamisches RAM, Automobilgrad M12L128168A-7TVG2N 2M x 16 bissen x Datenrate 4 der Banken die synchrone hohe dynamisches RAM, Automobilgrad
M12L128168A-7TVAG2N 2M x 16 bissen x Datenrate 4 der Banken die synchrone hohe dynamisches RAM, Automobilgrad AD62556 USB-Audioprüfer mit Kopfhörer-Fahrer
u. mit Mikrofon/Linie-in der Schnittstelle
AD22654 Kappe-loser Leitungstreiber 3-Vrms mit justierbarem Gewinn AD22650 Kappe-loser Stereoleitungstreiber 3-Vrms für einzelne Versorgungselektronik
AD22654B Kappe-loser Stereoleitungstreiber 3-Vrms für einzelne Versorgungselektronik AD62550 Klassen--daudio-Endverstärker mit USB/I2
S-Schnittstelle
AD62553 USB-Audioprüfer u. Linie-in der Schnittstelle
Mit Klassen--dEndverstärker und Kopfhörer-Fahrer
AD62557 USB-Audioprüfer mit Klassen--dEndverstärker u. mit Mikrofon/Linie-in der Schnittstelle


Wir ETSE auch zu kaufen lagern, überschüssige, überschüssige, eingestellte Produkte und veraltetes Elektronikinventar zu viel. Wir sind an allen Arten IC, Kondensatoren und alle mögliche anderen Elektronikkomponenten interessiert, die Sie möglicherweise für ein Rabattlager haben.

 

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Kontaktdaten
Shenzhen E-Top Semiconductor equipment Co., Ltd

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